CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Datenblatt
168Auf Lager
Cut-Tape
23,59 €
15,45 €
Reel
15,45 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
565Auf Lager
34,76 €
25,12 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
190Auf Lager
43,64 €
33,31 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
224Auf Lager
25,38 €
16,93 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
230Auf Lager
14,33 €
8,16 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
342Auf Lager
12,01 €
6,72 €
6,49 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
448Auf Lager
240erwartet ab 02.09.2027
10,65 €
5,87 €
5,55 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
77Auf Lager
16,57 €
9,85 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
174Auf Lager
240erwartet ab 15.10.2026
12,90 €
7,26 €
7,12 €
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
134Auf Lager
15,43 €
8,85 €
8,26 €
8,06 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
126Auf Lager
240erwartet ab 05.11.2026
13,35 €
7,54 €
7,45 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC