RGT20NL65GTL

ROHM Semiconductor
755-RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-263-3
SMD/SMT
Single
650 V
2.1 V
30 V
20 A
53 W
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Artikel # Aliases: RGT20NL65
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Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGT20NL65 Field-Stop-Trench-IGBT

Der Field Stop Trench IGBT RGT20NL65 von ROHM Semiconductor zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus und eignet sich ideal für allgemeine Wechselrichter-, USV-, Power Conditioner- und Schweißanwendungen. Der ROHM RGT20NL65 Field Stop Trench IGBT bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Darüber hinaus ist der Baustein für eine Gate-Emitter-Spannung von ±30 V und einen Kollektorstrom von 20 A bei 25 °C spezifiziert.

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Erw. Preis:
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Preis (EUR)

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Erw. Preis
2,73 € 2,73 €
1,77 € 17,70 €
1,23 € 123,00 €
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