IKZ75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies
726-IKZ75N65EL5XKSA1
IKZ75N65EL5XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IGBT PRODUCTS

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.1 V
- 20 V, 20 V
100 A
536 W
- 40 C
+ 175 C
TRENCHSTOP 5 L5
Tube
Marke: Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: TRENCHSTOP
Artikel # Aliases: IKZ75N65EL5 SP001174456
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Deutschland
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Deutschland
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TRENCHSTOP™ 5 L5 IGBTs (Low Saturation 5)

Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5 IGBTs (Low Saturation 5) befinden sich am anderen Ende des Schaltfrequenzbereichs und sind für eine hervorragende Performance in Designs mit Schaltungen von <10 kHz optimiert. Die L5 von Infineon sind insbesondere für niedrige Schaltfrequenzen von 50 Hz bis 20 kHz optimiert. Die L5-Baureihe bietet eine niedrige VCE(sat) von 1,05 V für 30-A-IGBTs, niedrigste Schaltverluste im Blindleistungsmodus bei cos φ <1 und eine hohe thermische Stabilität der elektrischen Parameter. Mit einem VCE(sat) von 1,05 V der TRENCHSTOP™ 5 L5 können ganz neue Wirkungsgrade für Bauteile mit niedriger Schaltgeschwindigkeit erzielt werden.

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