REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von 100 V und 150 V

Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V von Renesas Electronics nutzen die Split-Gate-Technologie, wodurch der Einschaltwiderstand RDSON und die Gütezahl deutlich reduziert werden. Sie eignen sich daher ideal für Hochstromapplikationen. Die Bauteile sind in den Gehäuseoptionen TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) und TOLT (TO Top-Side Cooled) erhältlich und bieten ein außergewöhnliches thermisches Betriebsverhalten sowie maximale Strombelastbarkeit. Darüber hinaus verfügen die MOSFETs über ein Gehäuse mit benetzbaren Flanken für eine hervorragende Lötverbindung. Die REXFET-1 MOSFETs sind AEC-Q100-qualifiziert und verfügen über PPAP-Unterstützung für Fahrzeuganwendungen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel