BC847xQC NPN-Universal-Transistoren

Nexperia BC847xQC NPN-Universal-Transistoren verfügen über hohe Verlustleistungsfähigkeit, eine niedrige Gehäusehöhe von 0,5 mm und sind in einem DFN1412D-3-SMD-Gehäuse verfügbar. Diese Transistoren arbeiten mit 45 V Kollektor-Emitter Spannung (VCEO), 100 mA Kollektorstrom (IC), 200 mA Spitzenkollektorstrom (ICM) und einem Umgebungstemperaturbereich von -55 °C und 150 °C. Die BC847xQC Transistoren bieten einen kleineren Footprint im Vergleich zu herkömmlichen verdrahteten SMD-Gehäusen und werden in Applikationen, wie z. B. Universal-Schaltung/Verstärkung und platzbeschränkte Applikationen verwendet.

Arten von diskreten Halbleitern
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Nexperia Schottky Dioden & Gleichrichter BAT54QB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DFN-3
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC847AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC847BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC847CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
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12.530Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-1412D-3