XHP™ 2 1700 V IGBT-Module

Infineon Technologies XHP™ 2 1700 V IGBT-Module sind Hochleistungsbauteile, die auf einer skalierbaren Plattform basieren und für anspruchsvolle Hochleistungssysteme optimiert sind. Das XHP 2-Gehäuse umfasst ein Mehrfachgehäuse mit niedriger Induktivität, das parasitäre Induktivität minimiert und ein sauberes Schaltverhalten ermöglicht. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, Spannungsüberschwingung und Schaltverluste in Hochstromapplikationen zu reduzieren. Zusammen mit fortschrittlichen TRENCHSTOP™ IGBT-Technologien undXT-Zusammenschaltung, liefern diese Module eine hohe Stromdichte, niedrige Sättigungsspannung und robuste Lastwechselfestigkeit, um einen zuverlässigen Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen bis zu +175 °C zu unterstützen. Die hohe Leistungsdichte und ein skalierbares mechanisches Design ermöglichen eine konsistente Integration über verschiedene Wandlerplattformen hinweg und erhalten gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad und eine lange Lebensdauer aufrecht.

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Pd - Verlustleistung Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module XHP LV
3Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module XHP LV
3Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray