UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Ergebnisse: 23
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
3.280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
507Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
583Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
1.142Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
644Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
374Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
227Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
902Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
1.166Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
630Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
1.251Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
678Auf Lager
800erwartet ab 23.11.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
26Auf Lager
1.600Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 400
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
92Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
621Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
639Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
464Auf Lager
600erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
64Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
1.200erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
1.000erwartet ab 21.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
300erwartet ab 08.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET