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Menge RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8
Datenblatt
2.900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
844Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
2.623Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
475Auf Lager
4.320erwartet ab 04.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
4.548Auf Lager
9.600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Datenblatt
3.665Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
24Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
11.660erwartet ab 02.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
14.400erwartet ab 21.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
6.449Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
4.290erwartet ab 04.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800