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AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 842Auf Lager
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AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 10.862Auf Lager
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: 10.000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 6.219Auf Lager
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AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 440Auf Lager
960erwartet ab 21.12.2026
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AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 8.912Auf Lager
9.600erwartet ab 21.12.2026
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AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3.233Auf Lager
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AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 2.746Auf Lager
2.880erwartet ab 21.01.2027
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AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 238Auf Lager
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AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 19Auf Lager
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: 3.000


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
23.660erwartet ab 21.12.2026
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: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14.300erwartet ab 21.09.2026
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AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
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: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
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: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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: 5.000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
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: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
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AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
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AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
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AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
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AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800