16 bit 256 Mbit Halbleiter

Arten von Halbleitern

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Infineon Technologies S29GL256S10GHB010
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.600
Mult.: 2.600

Infineon Technologies S29GL256S10GHB013
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.700
Mult.: 2.700
: 2.700

Infineon Technologies S29GL256S10GHIV20
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.600
Mult.: 2.600

Infineon Technologies S29GL256S11DHB010
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.600
Mult.: 2.600

Infineon Technologies S29GL256S90DHA013
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200
: 2.200

Infineon Technologies S29GL256S90DHA020
Infineon Technologies NOR-Flash IC 256 Mb FLASH MEMORY Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.600
Mult.: 2.600

Infineon Technologies S29GL256S90FHA020
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1.800
Mult.: 1.800

Infineon Technologies S29GL256S90FHA023
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1.600
Mult.: 1.600
: 1.600

Infineon Technologies S29GL256S90DHA010
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.600
Mult.: 2.600

Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300