RQ6E050AJTCR

ROHM Semiconductor
755-RQ6E050AJTCR
RQ6E050AJTCR

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-457-6
N-Channel
1 Channel
30 V
5 A
35 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 4.4 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5.9 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.8 ns
Artikel # Aliases: RQ6E050AJ
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

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