Infineon Technologies CY15B104Q Serieller 4-Mbit-SPI-F-RAM

Der Cypress CY15B104Q serielle 4-Mbit-SPI-F-RAM ist ein nichtflüchtiger ferroelektrischer 4-Mbit-Direktzugriffsspeicher (F-RAM), der als 512Kx8 logisch organisiert ist. Ein F-RAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der Lese- und Schreibvorgänge wie ein RAM-Speicher ausführt und einen zuverlässigen Datenerhalt über 151 Jahre gewährleistet. Der CY15B104Q eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Probleme mit der Zuverlässigkeit auf Systemebene, die serielle Flash-, EEPROM- und andere nichtflüchtige Speicher mit sich bringen.

Merkmale

  • Ferroelektrischer 256-Mbit-Direktzugriffsspeicher (F-RAM), logisch organisiert als 512Kx8
  • Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
  • Anspruchsvoller Schreibschutz
  • Geringer Stromverbrauch
  • Niederspannungsbetrieb: 2-3,6 VDD
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 bis +85 ºC
  • Gehäuse: 8-Pin-SO-IC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit), 8-Pin-TDFN-Gehäuse (Thin Dual Flat No-Leads)
  • Konform mit der RoHS-Richtlinie (Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe)

Logik Blockdiagramm

Infineon Technologies CY15B104Q Serieller 4-Mbit-SPI-F-RAM
Veröffentlichungsdatum: 2016-07-19 | Aktualisiert: 2024-11-18