X-Band GaN-HEMTs und MMICs

Die breiten Banklücken der X-Band GaN-HEMTs und MMICs von Wolfspeed/Cree erhöhen die Durchschlagfeldstärke um das Fünffache und die Leistungsdichte um einen Faktor von 10 bis 20 gegenüber vergleichbaren GaAs-basierten Geräten. GaN-Komponenten von Cree sind kleiner und haben eine geringere Kapazität für dieselbe Betriebsleistung. Dies bedeutet, dass Verstärker über eine größere Bandbreite arbeiten können und eine sehr gute Eingangs- und Ausgangsanpassung zeigen. Aufgrund der bedeutenden Vorteile der GaN HEMTs und MMICs werden ineffiziente GaAs pHEMTs und unzuverlässige Wanderfeldröhren immer weniger in X-Band-Leistungsverstärkern eingesetzt.
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Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
Typ
Montageart
Technologie
P1dB - Kompressionspunkt
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept)
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
MACOM HF-Verstärker 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 GHz to 11 GHz 28 V 1.5 A 23 dB Power Amplifiers Screw GaN - 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Datenblatt
1Auf Lager
10erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray