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NCD57090ADWR2G

Name: onsemi NCD57090ADWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD57090ADWR2G
Price: 2.1 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCD57090ADWR2G

Herst.- Nr.:

NCD57090ADWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE

Datenblatt:

NCD57090ADWR2G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,10 €	2,10 €
	1,69 €	16,90 €
	1,57 €	39,25 €
	1,43 €	143,00 €
	1,36 €	340,00 €
	1,29 €	645,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,28 €	1.280,00 €
	1,26 €	2.520,00 €
	1,23 €	6.150,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	6.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	20 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	13 ns
Abfallzeit:	13 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCD57090
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

NCD57090ADWR2G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber

onsemi NCD57090 und NCV57090 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kVrms. Die NCD57090 und NCV57090 bieten einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen. Diese Bauteile akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten je nach Pin-Konfiguration Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate hohe und niedrige (OUTH und OUTL) Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die NCD57090 und NCV57090 eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20,0 V.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.