GS8642Z72GC Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 1 M x 72 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 405 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 270 mA, 340 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 520 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 5.5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 540 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 14
Mult.: 14

72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 280 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray