CY14B108N Serie NVRAM

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Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
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Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
791Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
70Auf Lager
864Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
304Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 598
Mult.: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel