Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

BGB 741L7ESD E6327

Name: Infineon BGB 741L7ESD E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGB741L7ESDE63
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BGB741L7ESDE63

Herst.- Nr.:

BGB 741L7ESD E6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Verstärker RF BIP TRANSISTORS

Datenblatt:

BGB 741L7ESD E6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies BGB 741L7ESD E6327

Auf Lager: 14.534

Lagerbestand:: 14.534

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 15.000

erwartet ab 16.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 12

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 7500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,736 €	7,36 €
	0,688 €	17,20 €
	0,636 €	63,60 €
	0,602 €	150,50 €
	0,572 €	286,00 €
	0,549 €	549,00 €
	0,547 €	2.188,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 7500)
	0,477 €	3.577,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Verstärker
RoHS:
Betriebsfrequenz:	50 MHz to 3.5 GHz
Betriebsversorgungsspannung:	1.8 V to 4 V
Betriebsversorgungsstrom:	10 mA
Verstärkung:	20 dB
NF - Noise Figure (Rauschzahl):	1.05 dB
Typ:	Low Noise Amplifiers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSLP-7-1
Technologie:	SiGe
P1dB - Kompressionspunkt:	- 6.5 dBm
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept):	1 dBm
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BGB741L7
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	120 mW
Produkt-Typ:	RF Amplifier
Verpackung ab Werk:	7500
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrequenz:	150 MHz
Artikel # Aliases:	SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
Gewicht pro Stück:	2 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ N-Kanal MOSFETs

Infineon OptiMOS™ und CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFETs setzt den Standard für hohe Leistung und Energieeffizienz. Die Infineon OptiMOS Niedrigspannungs-MOSFET Familie weist eine Kombination des branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstands und der besten Schaltleistung im Spannungsbereich zwischen 20V und 250V auf. Die neue OptiMOS 25V und 30V Produktfamilie setzt neue Standards für Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Power-MOSFETs. Diese Geräte sind anwendungsspezifisch optimiert für Netzteile von Servern, Notebooks, Telecom / Datacomschaltern und viele mehr. Die revolutionäre Infineon CoolMOS Powerfamilie setzt neue Standards in Energieeffizienz und entwickelt branchenweit führende Hochspannungs-MOSFETs. CoolMOS bietet erheblich gesenkte Leitungs- und Schaltverluste und ermöglicht hohe Leistungsdichte und -effizienz für überlegene Energieumwandlungssysteme. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs verbindet die Vorteile von Superjunction-Spitzengeräten mit den Stärken von handelsüblichen Power-Halbleitern.