Linear MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
Datenblatt
2.981Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube

IXYS MOSFETs TO247 1.5KV 2A N-CH LINEAR
Datenblatt
105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2 A 15 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 72 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Linear Tube