Tube JFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Abschaltungsspannung Gate-Source
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO
Datenblatt
538Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO2
Datenblatt
609Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Datenblatt
62Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
onsemi JFETs UF3N120007K4S
Datenblatt
1.423Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Datenblatt
575Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs UJ4N075005K4S
Datenblatt
437Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
Datenblatt
617Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Datenblatt
604Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
Datenblatt
325Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
Datenblatt
558Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Datenblatt
3.583Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 2.25 V - 20 mA - 10 nA 300 Ohms 360 mW - 55 C + 125 C SMPJ177 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO
Datenblatt
513Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
1.808Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube