Toshiba MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 2200V, 250A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 2.2 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1700V, 250A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1200V, 400A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1700V, 400A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
Toshiba MOSFET-Module SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 600 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 2 kW Tray