Rectifier Diode Module Serie IGBT-Module

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies IGBT-Module 1200V, 150 A, Sixpack IGBT Module
Datenblatt
82Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.75 V 220 A 100 nA 750 W - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies IGBT-Module N-CH 1.2KV 480A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Si Tray
Infineon Technologies FZ400R17KE3_S4
Infineon Technologies IGBT-Module IGBT Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Modules Si Tray
Infineon Technologies FS225R17OE4P
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 225 A sixpack IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

Si Tray