Infineon IGBT-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module IHV IHM T
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Infineon Technologies IGBT-Module EASY PLUS
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IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.69 V 315 A 100 nA 20 mW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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113Auf Lager
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Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 80 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 600 A dual IGBT module
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8erwartet ab 16.04.2026
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IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER ECONO
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16Auf Lager
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IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER ECONO
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IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 600 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER ECONO
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IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER ECONO
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6Auf Lager
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IGBT Modules Single 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA 20 mW Tray
Infineon Technologies IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G2 SI
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IGBT Modules Hex 1.2 kV 1.48 V 520 A 400 nA 1 kW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
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24Auf Lager
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Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
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13Auf Lager
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Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
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19Auf Lager
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Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 4500 V, 450 A dual IGBT module
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8Auf Lager
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Dual 4.5 kV 2.35 V 450 A 400 nA 1.5 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EasyPACK module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
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Modules Quad 2 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY STANDARD
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Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 135 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY STANDARD
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20Auf Lager
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Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 165 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY STANDARD
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14Auf Lager
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Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 215 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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23Auf Lager
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Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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10Auf Lager
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Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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36Auf Lager
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Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY PLUS
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29Auf Lager
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IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.55 V 175 A 100 nA 20 mW EasyPACK - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY PLUS
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14Auf Lager
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EasyPACK Module 1.2 kV 2.23 V 325 A 100 nA 20 mW 56.7 mm x 48 mm x 12 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
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36Auf Lager
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Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
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13Auf Lager
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Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
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30Auf Lager
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IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray