1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
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Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vr - Sperrspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
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Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
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20Auf Lager
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SiC Modules SiC Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
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24Auf Lager
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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24Auf Lager
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
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22Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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24Auf Lager
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MOSFET Modules Si 4.2 V 1.2 kV - 7 V to + 20 V SMD/SMT Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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4Auf Lager
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Si 4.2 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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20Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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16Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule MEDIUM POWER 62MM
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13Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule MEDIUM POWER 62MM
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9Auf Lager
16erwartet ab 12.03.2026
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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39Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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5Auf Lager
24erwartet ab 12.03.2026
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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8Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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22Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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29Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
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2Auf Lager
10erwartet ab 26.03.2026
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CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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17Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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30erwartet ab 03.09.2026
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
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SiC Modules SiC Tray