Diskrete Halbleitermodule – Mouser Deutschland

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NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule

Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule von onsemi verfügen über einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Die NXH100B120H3Q0 integrierten Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungs- und Schaltverluste. Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule eignen sich hervorragend für Energiespeichersysteme, Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungsapplikationen.

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Teile-Nr.

Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)

NXH100B120H3Q0SG
onsemi
1: 57,83 €
24Auf Lager

Herst. Teilenr.
NXH100B120H3Q0SG

Mouser-Teilenr.
863-NH100B120H3Q0SG

onsemi

Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)

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Datenblatt

24Auf Lager

57,83 €

46,57 €

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT-SiC Diode Modules

NXH100B120H3Q0

Tray

Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)

NXH100B120H3Q0PG
onsemi
24: 50,36 €
312Ab Werk erhältlich

Herst. Teilenr.
NXH100B120H3Q0PG

Mouser-Teilenr.
863-NH100B120H3Q0PG

onsemi

Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)

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Datenblatt

312Ab Werk erhältlich

Weitere Infos Verfügbar

50,36 €

Min.: 24
Mult.: 24

IGBT-SiC Diode Modules

NXH100B120H3Q0

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