GC50MPS33H

GeneSiC Semiconductor
905-GC50MPS33H
GC50MPS33H

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS

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Navitas Semiconductor
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
3.3 kV
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Tube
Marke: GeneSiC Semiconductor
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 6 g
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3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.