IMX8 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT
Datenblatt
N/A
Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN Dual 50 mA 120 V 120 V 5 V 300 mW 140 MHz - 55 C + 150 C IMX8
onsemi / Fairchild IMX8
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT N/A
Si NPN Dual 50 mA 120 V 120 V 5 V 300 mW 140 MHz - 55 C + 150 C
ROHM Semiconductor Bipolartransistoren - BJT DUAL NPN 120V 50MA SOT-457
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen

Si SMD/SMT SOT-457-6 NPN Dual 120 V 120 V 5 V 500 mV 300 mW 140 MHz + 150 C IMX8 Reel