EPC GaN FETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Kanalmodus Handelsname
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2.480Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2.998Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1.998Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4.084Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12.479Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.960Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.390Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 4.990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
20.000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
30.000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
15.000erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
15.000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
15.000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
7.500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
3.000erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2.500erwartet ab 08.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
2.500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
7.500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
12.500erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 500
Rolle: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 12.500
Mult.: 2.500
Rolle: 2.500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET