Power Modules Halbleiter

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Microchip Technology APTGX600U120D4G
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-D4 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5
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Microchip Technology APTGX75A120T1G
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP1F Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 14
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Microchip Technology APTGX800U120D4G
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-D4 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
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onsemi SNXH225B95H4Q2F2PG
onsemi IGBT-Module HUAWEI 15707 HP Q2BOOST (EXISTING DBC, 3X 10A SIC) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
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GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
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