PSRAM (Pseudo SRAM) Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
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200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
508Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC)
Datenblatt
284Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8
Datenblatt
2.903Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10.000

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Datenblatt
2.170Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 127

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
462Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
394Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
2.379Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5
Rolle: 2.500

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
Datenblatt
9.058erwartet ab 04.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
885Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 37

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
8.752Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
1.887Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
817Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 353

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Datenblatt
3.668Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
170Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 13

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
159Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 15

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Datenblatt
354Auf Lager
2.880erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
701Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
431Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
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79Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 36

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
9.290erwartet ab 04.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
4.975erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
3.631erwartet ab 20.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1