6 GHz Halbleiter

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MACOM Pin-Dioden Vr=500VDC Rs=.45 Ohm Cj=.35pF
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1.100erwartet ab 21.12.2026
Min.: 100
Mult.: 100
MACOM GaN FETs 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
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117erwartet ab 17.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100

MACOM Pin-Dioden 1-6000MHz .32pF -55C +125C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 80
Mult.: 80

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 100
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 50
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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