SiC-C3M-MOSFETs

Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
1.613Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
342Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
419Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Datenblatt
894Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement