STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT NPN Power Transistor
Datenblatt
910Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 10 A 700 V 9 V 1.5 V 57 W + 150 C MD1802FX Tube
STMicroelectronics Bipolartransistoren - BJT Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR
Datenblatt
409Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 12 A 750 V 9 V 2 V 62 W + 150 C ST1510FX Tube