Neueste MOSFETs
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.20.2025
11.20.2025
Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs
11.20.2025
11.20.2025
Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.
onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.
onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.19.2025
11.19.2025
Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.
Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
10.31.2025
10.31.2025
Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET
10.31.2025
10.31.2025
Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET
10.21.2025
10.21.2025
Bietet eine überlegene Schaltleistung und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.
Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET
10.17.2025
10.17.2025
Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET
10.14.2025
10.14.2025
Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.
onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
10.14.2025
10.14.2025
Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs
10.06.2025
10.06.2025
Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimierte 40-V-Leistungs-MOSFETs
10.02.2025
10.02.2025
Bietet maßgeschneiderte Lösungen für eine effiziente Leistungsumwandlung in Antrieben, Elektro- und Gartengeräten.
Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS
09.30.2025
09.30.2025
Hochleistungs-N-Kanal -Transistoren für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsanwendungen.
Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse
09.29.2025
09.29.2025
Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.08.2025
09.08.2025
Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.
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