Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

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Arten von Transistoren

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ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

08.19.2025

- MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.

ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor

08.06.2025

- Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.06.2025

- Dieser MOSFET ist ein Fahrzeug-Leistungs-MOSFET, der über die AEC-Q101-Qualifikation verfügt.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1,5 A 160 V Leistungstransistor

08.06.2025

- Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.

ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

08.04.2025

- MOSFET in Automobilqualität mit AEC-Q101-Qualifizierung in einem HSMT8AG-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs

07.22.2025

- AEC-Q101-qualifizierte Automobilstandard-MOSFETs für FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Leistungs-MOSFETs

07.22.2025

- Automobilstandard-MOSFETs, die AEC-Q101-qualifiziert sind und sich ideal für Fahrzeuganwendungen eignen.

ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

07.14.2025

- Verfügen über 1.200 VDS, einen niedrigen On-Widerstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine schnelle Recoveryzeit.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS, & Karosserie.

ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

03.13.2025

- AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie.

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Filtern nach:

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03.09.2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

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