STMicroelectronics Neueste SiC Schottky Dioden
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Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
02.03.2026
02.03.2026
Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes
05.06.2025
05.06.2025
Delivers superior power handling, high-frequency/-temp operation, and reduced capacitive charge.
Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden
04.04.2025
04.04.2025
Diese SiC Schottky-Barriere-Dioden haben eine repetitive Spitzensperrspannung (VRRM) von 1200 V.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
Diodes Incorporated DSCxA065LP Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
02.20.2025
02.20.2025
Verfügt über eine hervorragende Sperrstromstabilität bei hohen Temperaturen in einem DFN8080-Gehäuse.
Littelfuse LSIC2SD065D40CC SiC-Schottky-Barriere-Dioden
11.18.2024
11.18.2024
Extrem kurze Schaltzeit und temperaturunabhängiges Schaltverhalten.
Vishay VS-SCx0BA120 SiC-Einphasen-Brückendioden
11.12.2024
11.12.2024
Robuste Hochleistungs-Komponenten für eine Leistungsumwandlung mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen.
Nexperia PSC2065x Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden
10.15.2024
10.15.2024
Verfügen über hohe Leistungsdichte, reduzierte EMI und eine hervorragende Gütezahl (Qc x VF).
Diotec Semiconductor SI20C065x SiC Schottky Diodes
10.04.2024
10.04.2024
High-speed, high-voltage rectification diodes ideal for commercial/industrial-grade applications.
Nexperia PSC0665K Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden
09.09.2024
09.09.2024
Bieten hohe Leistungsdichte, hohe IFSM-Fähigkeit und hervorragende Gütezahl (Qc x VF).
Navitas Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes
09.03.2024
09.03.2024
Combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class thermal conductivity.
Nexperia PSC1665x Siliziumkarbid (SiC) -Schottky-Dioden
08.30.2024
08.30.2024
Ideal für AC/DC-Wandler, DC/DC-Wandler und Schaltnetzteile (SNT).
SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1.700 V SiC-Schottky-Diode
08.26.2024
08.26.2024
Wird in einem TO-247-2L-Gehäuse geliefert, das zur Erfüllung der Größen- und Leistungsanforderungen in einer großen Auswahl von Applikationen ausgelegt ist.
ROHM Semiconductor Automobilstandard-SiC-Schottky-Barrieredioden
06.20.2024
06.20.2024
Besitzt eine AEC-Q101-Qualifikation, die Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen gewährleistet.
Nexperia PSC1065B1 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden
06.14.2024
06.14.2024
Eignen sich hervorragend für Leistungsumwandlungsapplikationen mit extrem hoher Leistungsfähigkeit, geringem Verlust und hohem Wirkungsgrad.
Vishay VS-SC SOT-227 SiC-Schottky-Barriere-Dioden
05.17.2024
05.17.2024
Breitbandlücken-Schottky-Dioden von 650 V / 1.200 V, die für eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit ausgelegt sind.
Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes
05.10.2024
05.10.2024
Features a maximum junction temperature of +175°C and ensures robust performance.
Luminus Devices Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes
05.07.2024
05.07.2024
SiC SBDs with high performance, reliability, and efficiency are ideal for industrial applications.
Nexperia PSC1065H SiC-Schottky-Dioden
03.18.2024
03.18.2024
Kombinieren eine hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad mit geringem Energieverlust für Leistungsumwandlungsapplikationen.
onsemi NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode
03.05.2024
03.05.2024
Verfügt über eine temperaturunabhängige Schaltung, eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit und eine reduzierte EMI.
onsemi Wärmepumpen
03.01.2024
03.01.2024
Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.
onsemi NDSH20120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode
02.14.2024
02.14.2024
Bieten eine hervorragende Schaltleistung, eine hohe Zuverlässigkeit/einen hohen Wirkungsgrad und eine erhöhte Leistungsdichte.
onsemi NDSH30120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode
02.14.2024
02.14.2024
Verfügt über eine temperaturunabhängige Schaltung und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit.
onsemi NDSH20120CDN Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode
02.14.2024
02.14.2024
Bietet eine hervorragende Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit/Wirkungsgrad und reduzierte EMI.
onsemi NDSH30120CDN Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode
02.14.2024
02.14.2024
Bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium in einem TO-247-3LD-Gehäuse.
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