Arten von diskreten Halbleitern
Angewendete Filter:
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen
03.18.2026
03.18.2026
Bidirektionale Bauteile zur Oberflächenmontage, die für eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind.
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03.18.2026
03.18.2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
03.17.2026
03.17.2026
These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].
Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
03.17.2026
03.17.2026
These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
03.17.2026
03.17.2026
Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter
03.13.2026
03.13.2026
Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.
Texas Instruments TVS2210 Flat-Clamp-Überspannungsschutzvorrichtung
03.12.2026
03.12.2026
Ausgelegt, um schnell auf einen Fehlerstrom bis zu 25 A zu reagieren und so vor Transienten oder Blitzeinschlägen zu schützen.
Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode
03.12.2026
03.12.2026
150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Littelfuse SP1120-01WTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode
03.09.2026
03.09.2026
Proprietäre Silizium und Avalanche Technology sowie hoher ESD-Schutz für elektronische Geräte.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
Diotec Semiconductor MMS3Z18BGW-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in a compact SOD‑323 surface‑mount package, providing a 300mW power dissipation.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Diotec Semiconductor MM3Z3V0-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Offers a 300mW power dissipation rating and comes in a compact SOD‑323F surface‑mount package.
Diotec Semiconductor MM5Z6V8B-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Housed in an ultra‑small SOD‑523 surface‑mount package and AEC‑Q101 qualified.
Diotec Semiconductor TPSMA6L20A-AQ TVS Diode
03.06.2026
03.06.2026
AEC‑Q101 qualified unidirectional diode built in compact SMAF (DO‑221AC) low‑profile package.
Diotec Semiconductor BZX84B4V3-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 4.3V nominal Zener voltage with ±2% tolerance and 3μA leakage current at 1V.
Diotec Semiconductor SIT04C065 SiC Schottky Diode
03.06.2026
03.06.2026
Supports a 650V repetitive peak reverse voltage and delivers a 4A average forward rectified current.
Diotec Semiconductor BZX84B20-AQ Zener Diode
03.06.2026
03.06.2026
Features 20V nominal Zener voltage, 0.050µA leakage current, and 55Ω dynamic resistance.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
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