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onsemi Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NZ8P Zener-Schutzdioden

11.19.2025

- Entwickelt, um empfindliche elektronische Bauteile vor ESD- und Transientenspannungsereignissen zu schützen.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

10.13.2025

- Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.

onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

10.13.2025

- Das Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

10.06.2025

- Einzel-N-Kanal-MOSFETs in 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten und erhöhtem Systemwirkungsgrad.

onsemi MMQA/SZMMQA ESD-Schutzdioden

09.23.2025

- Diese Bauteile wurden für Applikationen entwickel, die einen Schutz vor transienten Überspannungen benötigen.

onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.09.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.08.2025

- Robuste 20-V-890-mA-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, optimiert für hocheffiziente Schaltapplikationen.

onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

09.08.2025

- Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

onsemi SZMM3ZxT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

09.05.2025

- Entwickelt für die Spannungsregelung und den Schutz in elektronischen Systemen von Kraftfahrzeugen.

onsemi NxJS3151P Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.04.2025

- Ideal für platzbeschränkte Designs, bei denen Leistungsdichte und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

onsemi SZMMSZ52xT1G Zener-Spannungsregler für Fahrzeuganwendungen

08.25.2025

- Entwickelt für präzise Spannungsregelung und Überspannungsschutz.

onsemi NXH600N10x 3-stufige NPC-Wechselrichtermodule

08.25.2025

- Leistungsmodule in F5BP enthalten einen dreistufigen Wechselrichter vom Typ I mit Neutralpunktklemmung.

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220 Leistungsgleichrichter

08.21.2025

- Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, bei denen Effizienz und thermische Leistung kritisch sind.

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Filtern nach:

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden

11.24.2025

- Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

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