Neueste Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von Halbleitern

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onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

onsemi MC74HC4066A Quad-Analogschalter/Mux/Demux

06.29.2026

- Erreicht schnelle Ausbreitungsverzögerungen, einen niedrigen On-Widerstand und einen niedrigen Ableitstrom im OFF-Kanal.

onsemi NCP303345 Intelligente Leistungsstufe

06.25.2026

- Integriert einen Strommess-Treiber einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gerät.

onsemi NCV84003G High-Side-eFuse

06.25.2026

- Das Bauteil kann mechanische Sicherungen ersetzen und Strom in einer intelligenten Stromverteilungsarchitektur liefern.

onsemi NCV76124EVK Evaluierungskit

06.25.2026

- Dieses Evaluierungskit unterstützt den NCV76124 Regen- und Licht-Schnittstellen-Chip.

onsemi NL5S4599/NL5ST4599 Hochgeschwindigkeits-SPDT-Analogschalter

06.25.2026

- Erzielt hohe Ausbreitungsverzögerungen und einen niedrigen On-Widerstand bei gleichzeitiger Beibehaltung einer geringen Verlustleistung.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

onsemi NL3V1T244/34 1-Bit-Dual-Versorgungs-Pegelumsetzer

04.10.2026

- Ermöglichen eine nicht-invertierende Spannungsumsetzung mit hoher Geschwindigkeit zwischen zwei unabhängigen Stromversorgungsbereichen.

onsemi NCV78964 Zweiphasen-Booster/Buck-LED-Treiber

04.10.2026

- Einzelchip-Zweiphasen-Booster mit hohem Wirkungsgrad und synchronen Dual-Buck-LED-Treibern.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

onsemi NCP4306 Synchrongleichrichtungstreiber

03.13.2026

- Unterstützt DCM/CCM-Flyback-, Quasi-Resonanz-Flyback-, Vorwärts- und Resonanz-LLC-Topologien.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

onsemi FAD1100-F085 Zünd-Gate-Drive-IC

03.03.2026

- Steuert einen Zünd-IGBT direkt an und regelt sowohl den Spulenstrom als auch den resultierenden Zündfunken.

onsemi NCV8405A/B Selbstgeschützte Low-Side-Treiber

03.03.2026

- Für eine zuverlässige Schaltleistung in anspruchsvollen Automotive- und Industrieumgebungen ausgelegt.

onsemi ARX383 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree

02.26.2026

- Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global-Shutter- Bauteile (VGA, 1/8” Format) gehören.

onsemi AR0145 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree

02.26.2026

- Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global Shutter- Bauteile (1 MP, 1/4,3” Format) gehören.

onsemi AR0235 Hyperlux Bild-Sensor Power Tree

02.26.2026

- Hyperlux SG Produktfamilie, zu der auch erstklassige Global-Shutter- Bauteile gehören (2,3 MP, 1/2,8” Format).

onsemi T30LMXT3V4T244 Pegelumsetzer

02.20.2026

- Konfigurierbarer 4-Bit-Pegelumsetzer mit zwei Versorgungsspannungen und 3-State-Ausgängen.

onsemi T30LMPSR165 Ultraschnelle Linearregler

01.22.2026

- Dieses Bauteil kann einen Ausgangsstrom von 300 mA bei einer Eingangsspannung von 1,4 V bereitstellen.

onsemi NCV84003F Einkanal-High-Side-Treiber

01.22.2026

- Das Bauteil schaltet eine Vielzahl von Lasten, beispielsweise Glühbirnen, Solenoide und andere Aktoren.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

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Filtern nach:

STMicroelectronics ISM6HGK256X Intelligent IMU

09.03.2026

- A high-end, low-noise, low-power 6-axis intelligent inertial measurement unit (IMU).

Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs

09.03.2026

- These reference designs were developed for a USB-PD charger or a notebook USB-PD adapter.

NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board

09.03.2026

- Designed for the NAFE33352 industrial-grade universal analog input and output front-end (AFE).

STMicroelectronics LSM6DSK320X 6-Axis Inertial Measurement Unit (IMU)

09.03.2026

- A compact, low-power, high-performance 6-axis inertial measurement unit (IMU).

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules

09.01.2026

- Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.

NXP Semiconductors VR249 Industrielle Sicherheits-PMICs

09.01.2026

- Hochspannungs-Industriesicherheits-PMICs mit SIL 2 Unterstützung für stromsparende MCUs.

NXP Semiconductors KITVR249AEEVM Evaluationskit

09.01.2026

- Gelötetes Evaluierungskit zur Konfiguration, Prüfung und Programmierung von VR249 Hochspannungs-PMICs für Industrieapplikationen.

NXP Semiconductors KITVR249SKTEVM Evaluationskit

09.01.2026

- Evaluierungskit mit Steckplatz zur Konfiguration, Prüfung und Programmierung von VR249-PMICs für industrielle Sicherheit.

Texas Instruments SK-TDA4VM Prozessor Starter Kit für Edge KI-Vision

09.01.2026

- Entwickelt, um Roboter, intelligente Kameras und intelligente Maschinen zum Leben zu erwecken, bietet einen schnellen Einrichtungsprozess.

Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)

09.01.2026

- High-performance RISC-V SoC with integrated media processing, HMI, and security capabilities.

Infineon Technologies Evaluierungsboards für PROFET™ Smart-High-Side-Schalter

08.31.2026

- Diese Boards sind zur Evaluierung der PROFET™ Smart-High-Side-Schalter konzipiert.

IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs

08.27.2026

- Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.

Infineon Technologies TLE49901/TLI49901 XENSIV Magnetische Positionssensoren

08.27.2026

- Analoge ratiometrische lineare Hall-Sensoren für die Weg-, Linear- und Winkelmessung.

STMicroelectronics STEVAL-SID140V1 Treiber für isolierte Thyristoren

08.26.2026

- Treiber-Board für isolierte Thyristoren zur Evaluierung von AC-Halbleiterrelais.

STMicroelectronics STM32H5F5J-DK Discovery Kit

08.26.2026

- Discovery Kit für STM32H5F5LJ MCU-Entwicklung mit LCD, Ethernet und STLINK-V3EC.

STMicroelectronics STEVAL-0608Y1V8 Evaluationsboard

08.26.2026

- Evaluierungsboard für die 1,8-V-/8-A-Abwärts-DC/DC-Wandlung im Automotive-Bereich

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber

08.25.2026

- Konzipiert, um Galliumnitrid(GaN)- und Silizium(Si)-Designs auf derselben PCB zu ermöglichen.

NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluationsboard

08.25.2026

- Gesockeltes FS04 Evaluierungsboard mit FRDM-KL25Z Brücke und OTP Programmierungs-Support.

Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board

08.25.2026

- Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

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