IXYS Neueste Diskrete Halbleiter

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IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. 
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode
07.08.2024
Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR
02.19.2024
Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.
IXYS MPA 95-06DA FRED-Module
IXYS MPA 95-06DA FRED-Module
01.18.2024
Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.
IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule
IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule
01.18.2024
Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter
08.11.2022
Verfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.
IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
08.10.2022
Hohes statisches dv/dt mit geringer Abschaltzeit (tq) und 1,5 ARMS Einschaltstrom.
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    Littelfuse SC3402-02ETG ESD Protection Diode
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD Protection Diode
    02.23.2026
    Ultra-low capacitance ESD protection diode designed to safeguard high-speed data interfaces.
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    02.19.2026
    Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
    02.18.2026
    Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.
    Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter
    Vishay SE45124/SE50124 SMD-Hochspannungs-Gleichrichter
    02.17.2026
    Diese Bauteile zeichnen sich durch eine hervorragende Wärmeableitung und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit aus.
    Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter
    Vishay KBPE0480 Single-In-Line-Brückengleichrichter
    02.16.2026
    Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall aus und sind im KBP-Gehäuse erhältlich.
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD-Gleichrichter
    02.10.2026
    Diese Bauteile sind in einem Flachgehäuse mit einer typischen Höhe von nur 0,88 mm erhältlich.
    Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor
    Littelfuse CMA160E1600HF Einzel-thyristor
    02.06.2026
    Hohes Betriebsverhalten 160 A, 1.600 V Gerät mit einem planar passivierten Chip-Aufbau im PLUS247 Gehäuse.
    TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
    TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module
    02.05.2026
    Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02.03.2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02.03.2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
    Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang
    02.03.2026
    Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02.03.2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02.03.2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
    IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
    02.02.2026
    Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
    Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    01.20.2026
    15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
    IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
    IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
    01.20.2026
    600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
    Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    01.19.2026
    25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.
    Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
    01.19.2026
    7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.
    Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden
    Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden
    01.13.2026
    Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden
    Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden
    01.08.2026
    Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
    12.26.2025
    Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
    12.23.2025
    Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
    onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
    12.19.2025
    Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
    Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
    Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
    12.19.2025
    Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
    12.04.2025
    Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
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