Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04.16.2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter
04.07.2026
Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.
Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter
Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter
04.07.2026
Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04.02.2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04.02.2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.    
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz
Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz
03.27.2026
Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie. 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
03.24.2026
Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03.18.2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen
Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen
03.18.2026
Bidirektionale Bauteile zur Oberflächenmontage, die für eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind.
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03.17.2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter
Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter
03.13.2026
Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
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