Arten von Transistoren
Angewendete Filter:
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET
10.17.2025
10.17.2025
Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.
Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs
10.14.2024
10.14.2024
Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.
Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs
09.13.2024
09.13.2024
Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.
Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
09.10.2024
09.10.2024
Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.
Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs
08.12.2024
08.12.2024
Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.
Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs
05.13.2024
05.13.2024
Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06.09.2023
06.09.2023
Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.
Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET
02.13.2023
02.13.2023
Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.
Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation
07.11.2022
07.11.2022
Ausgelegt für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC-Eingang und AC-DC-Netzteile.
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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03.17.2026
03.17.2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT
03.09.2026
03.09.2026
Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
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