Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

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Arten von Transistoren

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Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia MJPEx Bipolare Sperrschichttransistoren (BJTs)

08.26.2025

- Das CFP15B-Gehäuse bietet eine kompakte und kostengünstige Alternative zur Baureihe MJD im DPAK-Gehäuse.

Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET

08.19.2025

- 30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

04.14.2025

- 60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.

Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET

04.14.2025

- 40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.

Nexperia NX5020x n-Kanal-Anreicherungsmodus-FETs

04.01.2025

- Die Bauteile verfügen über eine sehr niedrige Schwellenspannung und ein sehr schnelles Schalten mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs

01.21.2025

- Kombiniert bewährte MOSFET-Expertise mit breitem Anwendungswissen und schafft so ein wachsendes Angebot.

Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start

01.08.2025

- Bietet einen zuverlässigen linearen Modus, verbessertes SOA und einen niedrigen RDS(on) in einem einzigen Bauteil.

Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

12.30.2024

- AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.

Nexperia BC869-Q Leistungstransistoren

12.11.2024

- PNP-Mittelleistungstransistoren in einem SOT89 (SC-62)-Gehäuse mit flachen Sperrschichtdrähten aus Kunststoff.

Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET

10.01.2024

- Ein 40 V, 4,8 mΩ bidirektionaler GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT – Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) in einem WLCSP-Gehäuse.

Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET

08.30.2024

- Basiert auf der niederohmigen Trench 14 Split-Gate-Technologie und ist in einem LFPAK56E-Gehäuse untergebracht.

Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren

07.04.2024

- Bietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.

Nexperia GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET

07.02.2024

- Ein universal einsetzbarer 150 V, 3,9 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET in einem VQFN-Gehäuse.

Nexperia NSF0x0120 n-Kanal-SiC-MOSFETs

07.01.2024

- Bieten eine hervorragende RDS(on) -Temperaturstabilität in einem standardmäßigen 7-Pin-TO-263-Kunststoffgehäuse.

Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs

06.24.2024

- 80 V Standard-Gate-Drive-MOSFETs mit einem niedrigen Qrr für einen höheren Wirkungsgrad und niedrigere Spitzen.

Nexperia NSF0x120L4A0 n-Kanal-MOSFETs

04.23.2024

- 1200-V-Leistungs-MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis (SiC) in bewährten 4-poligen TO-247-Kunststoffgehäusen.

Nexperia BSS138AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

04.04.2024

- AEC-Q101-qualifizierte n-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistoren (FETs) in kleinen SMD-Gehäusen.

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)

11.20.2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

10.31.2025

- Integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und hervorragendem Betriebsverhalten.

Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor

10.31.2025

- The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

10.31.2025

- Bietet schnelles Schaltverhalten mit niedriger Gate-Ladung und maximaler Drain-Source-Spannung von 60 V.

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