Neueste Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11.24.2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11.03.2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09.26.2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden

08.19.2025

- Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

08.19.2025

- MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs

08.19.2025

- Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.

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Filtern nach:

M5Stack Atom-Matrix v1.1 IMU Sensor

06.05.2026

- Improves attitude detection accuracy and response speed compared to the previous generation.

Espressif Systems ESP32-P4X-EYE Vision Development Board

06.05.2026

- This development board is based on the ESP32-P4 chip and mainly targets camera applications.

Macronix MX25L3233F MXSMIO® NOR Flash Memory

06.04.2026

- Provides sequential read operations across the entire chip and multi-I/O features.

Mikroe 150PD TPS Pressure Click

06.04.2026

- Features the TE Connectivity TPS-150PD-CA1N-00-T low-pressure MEMS pressure sensor.

Infineon Technologies REF_11KW_PFC_SIC_QD Referenzboard

06.04.2026

- Stellt einen mehrstufigen, bidirektionalen Wechselrichter mit aktivem Nullpunkt-Clamping (ANPC) dar.

M5Stack Core2 v1.3 Integrated Controller

06.04.2026

- ESP32-D0WDQ6-V3 core with an Xtensa dual-core 32-bit LX6 processor running at 240MHz.

MediaTek Genio 420 GenAI Capable IoT Platform

06.04.2026

- For embedded applications that require reliable, low-power implementation of edge AI and GenAI.

Mikroe Thermo 32 Click

06.02.2026

- Features the onsemi N34TS108 low-voltage digital temperature sensor for temperature measurement.

Pervasive Displays EPD Extension Kit Gen3 Version 2 Board

06.02.2026

- Driver extension board that connects with a host system to enable ultra-low-power e-paper displays.

Mikroe GeoMagnetic 2 Click

06.02.2026

- Features the Bosch Sensortec BMM350 16-bit 3-axis magnetometer for geomagnetic field sensing.

Mikroe Life Metrics Click

06.02.2026

- Compact add-on board for multi-vital sign monitoring and evaluation in biomedical applications.

Mikroe Accel 37 Click

06.02.2026

- Features the ADI ADXL366 micropower 3-axis digital output MEMS accelerometer.

Mikroe BLDC FOC Click

06.01.2026

- Features the TI MCF8329A sensorless FOC 3-phase BLDC gate driver for 3-phase BLDC and PMSM motors.

Mikroe Pressure 27 Click

06.01.2026

- Based on the Honeywell MPRSS0250KA00000C 250kPa MPR absolute pressure sensor.

Mikroe Light 6 Click

06.01.2026

- Add-on board for real-time light level detection, illumination monitoring and brightness adaptation.

Mikroe LTE Cat.1 5 Click for Europe

06.01.2026

- Module for 4G LTE cellular connectivity in European IoT, M2M, and consumer applications.

Mikroe 100MG TPS Pressure Click Board

06.01.2026

- For gauge and differential pressure sensing in medical and environmental monitoring systems.

Mikroe DAC 24 Click

06.01.2026

- For digital-to-analog conversion in applications that require gain control and more.

Mikroe Current 15 Click

06.01.2026

- Based on ACS37100 TMR current sensor for bidirectional current measurement in embedded applications.

Mikroe RF Switch 2 Click

06.01.2026

- Compact add-on board for high-frequency RF signal routing in wireless and signal-management designs.

Mikroe LTE Cat.1 5 Click for North America

06.01.2026

- Module for 4G LTE cellular connectivity in North American IoT, M2M, and consumer applications.

Mikroe Boost 10 Click

06.01.2026

- Compact add-on board that provides a stable boosted output voltage for battery-powered devices.

STMicroelectronics L98GD8E 8-Kanal-MOSFET-Vortreiber

05.29.2026

- Das Gerät ist für Low-Side-, High-Side-, Peak-and-Hold- sowie H-Brücken-Laststeuerung konfigurierbar.

Infineon Technologies OPTIREG™ TLE9744QK Traktionswechselrichter-PMIC

05.28.2026

- Umfasst die vollständige Stromversorgungsfunktionalität sowie anwendungsspezifische Funktionen.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05.27.2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

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