Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von diskreten Halbleitern

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Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.

06.03.2025

- 1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Glaspassivierte Einphasen-Brückengleichrichter

04.17.2025

- Ideal für AC/DC-Brücken-Vollwellen-Gleichrichtung für Monitore, Drucker und Adapterapplikationen.

Vishay PAR® Überspannungsschutzvorrichtungen zur Oberflächenmontage

04.17.2025

- Ideal für den Einsatz beim Schutz empfindlicher Elektronik gegen Spannungstransienten, die durch Blitzschlag hervorgerufen werden.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04.03.2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay VS-EBU15006HN4 Ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode

03.25.2025

- 150-A-Diode, die zur Reduzierung von Verlusten und EMI/RFI in Hochfrequenz-Leistungsregelungssystemen optimiert ist.

Vishay MAACPAK PressFit SiC MOSFET-Leistungsmodule

03.17.2025

- Ausgelegt, um den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit für Applikationen im mittleren bis hohen Frequenzbereich zu verbessern.

Vishay VGSOT ESD-Schutzdioden

03.14.2025

- Bieten einen niedrigen thermischen Widerstand sowie erweiterte Strom- und Leistungswerte in einem SOT-23-Gehäuse.

Vishay VS-SCx0BA120 SiC-Einphasen-Brückendioden

11.12.2024

- Robuste Hochleistungs-Komponenten für eine Leistungsumwandlung mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen.

Vishay SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

11.11.2024

- TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

10.25.2024

- Erhältlich in einem PowerPAK®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm BWL mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω.

Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200-V-N-Kanal-MOSFETs

08.26.2024

- Bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximale Verlustleistung.

Vishay GBUE2580 Einphasen-Brückengleichrichter

08.20.2024

- Bietet eine einreihige Schaltungsanordnung mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall in einem GBU-Gehäuse.

Vishay SE100PWTLK Oberflächenmontierbarer Standardgleichrichter mit niedrigem VF

08.20.2024

- Verfügt über eine Kriech- und Luftstrecke von 2,8 mm, ein sehr niedriges Profil und eine typische Höhe von 1,3 mm.

Vishay SS20KH170 Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Dichte und einer extrem niedrigen Durchlassspannung von 0,6 V bei IF = 5 A.

Vishay SS30KH170/SS30KH170S Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Stromdichte und einem extrem niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.

Vishay T15Bx PAR® ESD-Schutzdioden

08.20.2024

- Verfügen über ein optimiertes Design mit Sperrschicht-Passivierung unter Verwendung der passivierten Anisotropen Gleichrichter-Technologie.

Vishay MRSE1PK Schnellschaltender Gleichrichter zur Oberflächenmontage

08.08.2024

- Ein 1 A, 800 V, schneller Mikro-Gleichrichter zur Oberflächenmontage, der sich ideal für die automatische Bestückung eignet.

Vishay SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

07.01.2024

- Verfügt über die TrenchFET® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.

Vishay TransZorb® Überspannungsschutzvorrichtungen

06.04.2024

- Verfügt über eine hervorragende Klemmfähigkeit eine sehr schnelle Anschwingzeit und einen geringen inkrementellen Spannungsstoß.

Vishay Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

05.17.2024

- Verfügt über Leistungstechnologie, optimiert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung während der Leitung.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

02.03.2026

- Bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Littelfuse SM15KPA-HRA und SM30KPA-HRA Hochzuverlässige Dioden

01.13.2026

- Schützt I/O-Schnittstellen, VCC-Bus und andere Schaltungen in Avionik-, Luftfahrt- und eVTOL-Applikationen.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS-Dioden

01.08.2026

- Bieten eine ultradünne Kapazität, Bidirektionalität und einen hohen Schutzgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren

12.01.2025

- DTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Bourns SMLJ-R Transientenspannungsschutzdioden

11.24.2025

- Für Überspannungs- und ESD-Schutz im kompakten DO-214AB Chip-Gehäusegrößenformat (SMC) entwickelt.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

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