512 kbit SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3.300
Mult.: 3.300
: 3.300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 32K X 16K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

512 kbit 32 k x 16 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 32K X 16K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx8, 512K, 3.3V DUAL-PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

512 kbit 64 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

512 kbit 32 k x 16 15 ns 3.6 V 3 V 225 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 32K x 16 3.3V Dual-Port RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

512 kbit 32 k x 16 15 ns 3.6 V 3 V 235 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K x 16 3.3V Dual-Port RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

512 kbit 32 k x 16 15 ns 3.6 V 3 V 235 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

512 kbit 32 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 20 ns 5.5 V 4.5 V 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray