ISSI SRAM

Ergebnisse: 1.229
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 512 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,250Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 225 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 340 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 1.8 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 2 M x 36 3.8 ns 166 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 1.8 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM SYNC.PIPE,200MHz,3CE 256K x36, 3.3v I/O
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

72 Mbit 2 M x 36 3.8 ns 166 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,4Mb x 18,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 4 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,4Mb x 18,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

72 Mbit 4 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM SYNC.PIPE,200MHz,3CE 512K x18, 3.3v I/O
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 100 Pin TQFP, Lead Free
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 1M (64Kx16) 8ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Rolle: 2.500

1 Mbit 8 ns 3.63 V 3.135 V 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz 3.3 V 2.5 V 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel