ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM Sync SRAM 72Mb, 2.5v 4Mb x18bits, 250MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

FBGA-165 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v,or 10ns,2.4V-3.6V,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 72Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 36,200MHz, 2.5v I/O, 100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 2 M x 36 3.1 ns 200 MHz 550 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray