R1RP0408DGE-2PR#B1

Renesas Electronics
968-R1RP0408DGE2PRB1
R1RP0408DGE-2PR#B1

Herst.:

Beschreibung:
SRAM SRAM 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS 0TO70C

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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Renesas Electronics
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
5.5 V
4.5 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
Marke: Renesas Electronics
Speichertyp: SRAM
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Verpackung ab Werk: 22
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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TARIC:
8542324500
USHTS:
8542320041
ECCN:
EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics asynchrone SRAMs basieren auf der leistungsstarken CMOS-Technologie mit hoher Zuverlässigkeit. Die Technologie und innovative Schaltungsdesign-Techniken bieten eine kostengünstige LÖSUNG für asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM-Speicheranforderungen. Vollständig statische asynchrone Schaltungen erfordern keine Takte oder Aktualisieren für den Betrieb. Der Renesas liefert einen asynchronen SRAM in einem RoHS-6/6-compliant-Gehäuse (umweltfreundlich) mit Industriestandard-Gehäuseoptionen.