Renesas Electronics EEPROM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Datenspeicherung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS, PB F
Datenblatt
1.250Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 300

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.TEMP,120NS, PB FREE
Datenblatt
2.985Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 75
Mult.: 75

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC64 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS,T&R,P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Reel