E51 DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 213Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5116SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86 139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5132SD Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT 427Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray