Reel DRAM

Ergebnisse: 1.315
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies S27KS0642GABHI033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel
Infineon Technologies S27KS0642GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
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: 2.500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
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: 2.500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
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: 2.500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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: 2.500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Infineon Technologies S70KL1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Infineon Technologies S70KS1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Infineon Technologies S70KS1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
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Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel